D2061 - Transistor NPN de potência

Transistor NPN

O transistor NPN é formado por duas junções NP, na sequência NP-PN. Formado por três cristais de silício, sendo dois N e um P(NPN). A junção Emissor/Base é diretamente polarizada, a junção Base/Colector é inversamente polarizada. Ao polarizar diretamente a junção base/emissor do transistor um fluxo de elétrons é direcionado da região N para região P.

Encapsulamento: TO-220Fa

O TO-220Fa é um estilo de encapsulamento eletrônico usado para componentes de alta potência. A designação "TO" significa "(transistor outline) contorno do transistor ". Os encapsulamentos TO-220Fa têm três terminais. Também são fabricados pacotes similares com dois, quatro, cinco ou sete terminais. Uma característica notável é uma aba com um orifício, usada na montagem do gabinete em um dissipador de calor. Os componentes comuns do pacote TO-220Fa incluem semicondutores discretos, como transistores e retificadores controlados por silício, além de circuitos integrados.

Pinagem: 1 - Base, 2 - Coletor, 3 - Emissor

DESCRIÇÃO

· Encapsulamento TO-220Fa

· Baixa voltagem de saturação

· Excelentes características de ganho de corrente DC

· Ampla área operacional segura

Aplicações

Para amplificadores de baixa frequência

VCBO Collector-base voltage Open emitter 80 V

VCEO Collector-emitter voltage Open base 60 V

VEBO Emitter-base voltage Open collector 5 V

IC Corrente de Coletor (DC) 3 A

ICM Corrente de Coletor-Peak 6 A