JCS2N65F - MOSFET Canal N 650V

MOSFET Canal N

O transistor MOSFET (acrônimo de Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor, ou transistor de efeito de campo metal - óxido - semicondutor - TECMOS), é, de longe, o tipo mais comum de transístores de efeito de campo em circuitos tanto digitais quanto analógicos. Seu princípio básico foi proposto pela primeira vez por Julius Edgar Lilienfeld, em 1925.

OBS: podem haver mais didos/zeners internos. Consulte o datasheet específico.

Encapsulamento: TO-220MF

O TO-220MF é um estilo de encapsulamento eletrônico usado para componentes de alta potência. A designação "TO" significa "(transistor outline) contorno do transistor ". Os encapsulamentos TO-220MF têm três terminais. Também são fabricados pacotes similares com dois, quatro, cinco ou sete terminais. Uma característica notável é uma aba com um orifício, usada na montagem do gabinete em um dissipador de calor. Os componentes comuns do pacote TO-220MF incluem semicondutores discretos, como transistores e retificadores controlados por silício, além de circuitos integrados.

Pinagem: Gate, Drain, Source

Aplicações:

Fontes de alimentação de alta eficiência

Reatores de lâmpadas eletrônicos baseados em meia ponte

Fontes de alimentação LED

Drain-Source Voltage 650V

Drain Current-continuous 1,9A

Drain Current – pulse 6A

Rdson?Vgs=10V? 5.0 R?