A1006 - Transistor de potência 2SA1006 2SA1006A 2SA1006B

Transistor PNP (TO-220)

Transistor de potência 2SA1006 2SA1006A 2SA1006B

1 - Base, 2 - Coletor, 3 - Emissor

Símbolo elétrico Transistor de potência 2SA1006 2SA1006A 2SA1006B

Transistor PNP

O transístor PNP (lógica positiva) é formado por duas junções PN na sequência PN-NP. É formado por três cristais de silício, sendo dois P e um N (PNP) A tensão, no transistor PNP, é mais alta no emissor, média na base mais baixa no coletor. A polarização deste tipo de transistor é o contrário do NPN (lógica negativa).

Encapsulamento elétrico Transistor de potência 2SA1006 2SA1006A 2SA1006B

Encapsulamento: TO-220

O TO-220 é um estilo de encapsulamento eletrônico usado para componentes de alta potência. A designação "TO" significa "(transistor outline) contorno do transistor ". Os encapsulamentos TO-220 têm três terminais. Também são fabricados pacotes similares com dois, quatro, cinco ou sete terminais. Uma característica notável é uma aba de metal com um orifício, usada na montagem do gabinete em um dissipador de calor, permitindo que o componente dissipe mais calor do que aquele construído em um gabinete TO-92 por exemplo. Os componentes comuns do pacote TO-220 incluem semicondutores discretos, como transistores e retificadores controlados por silício, além de circuitos integrados.

Pinagem: 1 - Base, 2 - Coletor, 3 - Emissor

Complementar ao tipo 2SC2336,2SC2336A,2SC2336B

Aplicações:

Amplificadores de áudio de potência.

Amplificadores de alta frequência

Collector-base voltage 200V

Collector-emitter voltage 200V

Emitter-base voltage 5V

Corrente de Coletor 1,5A

hFE-2 DC current gain 60 até 320

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