BC33725 - Transistor NPN Amplificador de proposta geral

Transistor NPN

O transistor NPN é formado por duas junções NP, na sequência NP-PN. Formado por três cristais de silício, sendo dois N e um P(NPN). A junção Emissor/Base é diretamente polarizada, a junção Base/Colector é inversamente polarizada. Ao polarizar diretamente a junção base/emissor do transistor um fluxo de elétrons é direcionado da região N para região P.

Encapsulamento: TO-92

O TO-92 é um encapsulamento amplamente utilizado em semicondutores principalmente para transistores. O encapsulamento geralmente é feito de epóxi ou plástico e oferece tamanho compacto a um custo muito baixo.

A dissipação de potência máxima nominal do encapsulamento é inferior a um watt (600 mW).

Pinagem: 1 - Coletor, 2 - Base, 3 - Emissor

Este transistor foi projetado para uso em amplificadores e chaves de uso geral que requerem correntes de coletor de até 500 mA. Originado do Processo 12. Consulte TN3019A para obter características.

VCEO Tensão Coletor-Emissor 45 V

VCES Tensão Coletor-Base 50 V

VEBO Tensão Emissor-Base 5.0 V

IC Corrente de Coletor - Contínuo 1.0 A