BC547B - Transistor NPN Amplificador de proposta geral

Transistor NPN

O transistor NPN é formado por duas junções NP, na sequência NP-PN. Formado por três cristais de silício, sendo dois N e um P(NPN). A junção Emissor/Base é diretamente polarizada, a junção Base/Colector é inversamente polarizada. Ao polarizar diretamente a junção base/emissor do transistor um fluxo de elétrons é direcionado da região N para região P.

Encapsulamento: TO-92

O TO-92 é um encapsulamento amplamente utilizado em semicondutores principalmente para transistores. O encapsulamento geralmente é feito de epóxi ou plástico e oferece tamanho compacto a um custo muito baixo.

A dissipação de potência máxima nominal do encapsulamento é inferior a um watt (600 mW).

Pinagem: 1 - Coletor, 2 - Base, 3 - Emissor

Tensão Coletor-Emissor VCEO 45V

Tensão Coletor-Base VCBO 50V

Tensão Emissor-Base VEBO 6.0 V

Corrente de Coletor(DC) Ic 100 mA