K2717 - MOSFET Canal N

MOSFET Canal N

O transistor MOSFET (acrônimo de Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor, ou transistor de efeito de campo metal - óxido - semicondutor - TECMOS), é, de longe, o tipo mais comum de transístores de efeito de campo em circuitos tanto digitais quanto analógicos. Seu princípio básico foi proposto pela primeira vez por Julius Edgar Lilienfeld, em 1925.

OBS: podem haver mais didos/zeners internos. Consulte o datasheet específico.

Encapsulamento: TO-220F

O TO-220F é um estilo de encapsulamento eletrônico usado para componentes de alta potência. A designação "TO" significa "(transistor outline) contorno do transistor ". Os encapsulamentos TO-220F têm três terminais. Também são fabricados pacotes similares com dois, quatro, cinco ou sete terminais. Uma característica notável é uma aba com um orifício, usada na montagem do gabinete em um dissipador de calor. Os componentes comuns do pacote TO-220F incluem semicondutores discretos, como transistores e retificadores controlados por silício, além de circuitos integrados.

Pinagem: Gate, Dreno, Source

Aplicações de conversor e acionamento de motor DC-DC

Low drain?source ON resistance : RDS (ON) = 2.3 R? (typ.)

Drain?source voltage 900 V

Drain current 5A