C2336 - Transistor NPN de Potência - 2SC2336 2SC2336A 2SC2336B

Transistor NPN (TO-220)

Transistor NPN de Potência - 2SC2336 2SC2336A 2SC2336B

1 - Base, 2 - Coletor, 3 - Emissor

Símbolo elétrico Transistor NPN de Potência - 2SC2336 2SC2336A 2SC2336B

Transistor NPN

O transistor NPN é formado por duas junções NP, na sequência NP-PN. Formado por três cristais de silício, sendo dois N e um P(NPN). A junção Emissor/Base é diretamente polarizada, a junção Base/Colector é inversamente polarizada. Ao polarizar diretamente a junção base/emissor do transistor um fluxo de elétrons é direcionado da região N para região P.

Encapsulamento elétrico Transistor NPN de Potência - 2SC2336 2SC2336A 2SC2336B

Encapsulamento: TO-220

O TO-220 é um estilo de encapsulamento eletrônico usado para componentes de alta potência. A designação "TO" significa "(transistor outline) contorno do transistor ". Os encapsulamentos TO-220 têm três terminais. Também são fabricados pacotes similares com dois, quatro, cinco ou sete terminais. Uma característica notável é uma aba de metal com um orifício, usada na montagem do gabinete em um dissipador de calor, permitindo que o componente dissipe mais calor do que aquele construído em um gabinete TO-92 por exemplo. Os componentes comuns do pacote TO-220 incluem semicondutores discretos, como transistores e retificadores controlados por silício, além de circuitos integrados.

Pinagem: 1 - Base, 2 - Coletor, 3 - Emissor

Complementar ao tipo 2SA1006, 2SA1006A,2SA1006B

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