C2752 - Transistor NPN de Potência - 2SC2752

Transistor NPN

O transistor NPN é formado por duas junções NP, na sequência NP-PN. Formado por três cristais de silício, sendo dois N e um P(NPN). A junção Emissor/Base é diretamente polarizada, a junção Base/Colector é inversamente polarizada. Ao polarizar diretamente a junção base/emissor do transistor um fluxo de elétrons é direcionado da região N para região P.

Encapsulamento: TO-126

TO-126 é um tipo de encapsulamento para semicondutores com três terminais, como transistores. O Encapsulamento é retangular com um orifício no meio para facilitar a montagem em uma placa ou dissipador de calor.

No sistema de estrutura de tópicos JEDEC atualizado, o encapsulamento é numerado como TO-225AA.

Pinagem: 1 - Emissor, 2 - Coletor, 3 - Base

DESCRIÇÃO

- Encapsulamento TO-126

- Alta tensão de ruptura

- Baixa tensão de saturação do coletor

Aplicações

- Regulador de comutação de baixa potência

- Conversor DC-DC

- Interruptor de alta tensão

VCBO Collector-base voltage Open emitter 500 V

VCEO Collector-emitter voltage Open base 400 V

VEBO Emitter-base voltage Open collector 7 V

IC Corrente de Coletor 0.5 A

ICM Corrente de Coletor-peak 1.0 A

IB Corrente de Base 0.25 A