1 - Emissor, 2 - Coletor, 3 - Base
Transistor NPN
O transistor NPN é formado por duas junções NP, na sequência NP-PN. Formado por três cristais de silício, sendo dois N e um P(NPN). A junção Emissor/Base é diretamente polarizada, a junção Base/Colector é inversamente polarizada. Ao polarizar diretamente a junção base/emissor do transistor um fluxo de elétrons é direcionado da região N para região P.
Encapsulamento: TO-92NL
O TO-92NL é um encapsulamento é uma variação do TO-92. O encapsulamento geralmente é feito de epóxi ou plástico e oferece tamanho compacto, um pouco maior que o TO-92 a um custo muito baixo. A dissipação de potência máxima nominal do encapsulamento é inferior a um watt (1000 mW).
Pinagem: 1 - Emissor, 2 - Coletor, 3 - Base
* Dissipação Pc = 1 W
* Potência máxima de saída 3 W
* Complemento de 2SA928A
Tensão Coletor-Emissor: 30 V
Tensão Coletor-Base: 30 V
Tensão Emissor-Base: 5 V
Corrente de Coletor: 2 A
Ganho de corrente DC (hfe) - 100 to 320